Akkurate thermische Simulation in Echtzeit.
Mit jedem Typhoon HIL-Simulator erhalten Sie Zugriff auf eine Echtzeitberechnung der Schalt- und Leitungsverluste in den Halbleiterschaltern.
Auf diese Weise können Sie die Umrichterverluste und -temperaturen mit Zündimpulsen eines realen Steuergeräts mit hoher Genauigkeit simulieren und so alle denkbaren Betriebsbedingungen und Lastzyklen abdecken. Genaue Modelle des thermischen Verhaltens sind eine große Hilfe für die Bewertung der Umrichterzuverlässigkeit.
Berechnung von Schaltverlusten
Simulieren Sie die Schalt- und Leitungsverluste für 2- und 3-Level-Umrichter.
Der Benutzer kann die Halbleiterverluste durch mehrdimensionale Look-Up-Tabellen definieren. Die Werte können aus Messungen oder den Datenblättern der Hersteller entnommen werden. Die Verlustberechnung wird für eine Vielzahl von 2- oder 3-Level Umrichtermodulen angeboten. Es werden sowohl Schalt- als auch Leitungsverluste berücksichtigt.
Schaltverluste, zusammengesetzt aus Ein- und Ausschaltverlusten, werden aus 3D-Look-Up-Tabellen berechnet. Die Verlustenergie basiert hierbei auf der Sperrspannung, dem Strom und der Temperatur des Halbleiterbauteils. Leitungsverluste können auf zwei Arten definiert werden: Standardmäßig basiert die Berechnung auf dem Einschaltwiderstand und dem Forward Voltage Drop, alternativ kann hier eine 2D Look-Up-Tabelle verwendet werden. Hier können die Berechnungen auf Basis von Strom und Temperatur durchgeführt werden. Letzteres ist besonders bei der Simulation von MOSFET basierten Geräten sehr hilfreich.
Rechnen Sie mit den thermischen Eigenschaften
Simulieren Sie das Verhalten thermischer Kapazitäten
Detaillierte thermische Modelle in der Signal-Processing Bibliothek liefern eine einfache und genaue Möglichkeit realitätsnahe Berechnungen durchzuführen. Die thermischen Netzwerke können direkt mit den Umrichterverlusten gespeist werden.
Thermische Modelle können mit sehr kurzen Simulationsschritten gerechnet werden. Entsprechend kann man Elemente mit geringer thermischer Kapazität wie Übergangsbereiche beim Halbleiter mit hoher Genauigkeit simulieren.